allbet登录官网:两大半导体巨头同时瞄准NAND领域 存储器概念股一览

admin 4天前 科技 104 3

  两泰半导体巨头同时瞄准NAND规模 存储器看法股一览

  据媒体报道,存储器两大巨头三星、SK海力士克日瞄准NAND Flash事业,睁开机关投资。

  据韩媒消息,三星平泽园区P2,日前最先执行NAND产线投资。其它,三星西安NAND厂二期总约150亿美元投资,第一阶段70亿美元的25个项目完工,第二阶段80亿美元投资,估量2021年完工。

  三星正式启动平泽P2的NAND产线建树,5月已着手建立无尘室,计划2020年下半年投产。SK海力士克日同样起劲机关NAND事业,而且宣布将采取超品格战略,即强化技术实力,扭转目前市场劣势,缩短落伍差距。

  其它,SK海力士日前订立2020年发展愿景,包罗在NAND规模睁开快速追赶。SK海力士已进入堆叠128层NAND量产,目前正起劲开拓堆叠176层产物。

  根据WSTS统计,存储器占集成电路市场的36.1%,高于逻辑、模拟和微处置赏罚器份额。DRAM规模泛起寡头垄断名堂,三星、海力士、美光共占比高达95%。

  其中NAND Flash占存储器细分规模的44%,且行业齐集度极高,目前产能主要齐集在三星、SK海力士、美光等。业内人士表示,三星、SK海力士两大巨头起劲机关投资,望驱动产业链公司受益。

  国产替换迫在眉睫

  DRAM规模泛起寡头垄断名堂,存储器国产化迫在眉睫。

  6月20日,国家存储器基地项目二期开工建树。国家存储器基地项目于2016年12月30日开工,计划分两期建树3DNAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。一期主要实现技术打破,建成10万片/月产能,二期计划产能20万片/月,两期项目达产后月产能共计30万片。

  国信证券欧阳仕华指出,存储器产业从趋势上看,DRAM和NAND均处于技术快速打破阶段,估量下半年DRAM1Z制程以及NAND新代产物将会量产。国产内存颗粒生产的内存模组产物已经最先上市销售,显示海内存储芯片产业正处于0到1的打破阶段。

  东莞证券魏红梅以为,5G手机换机潮和IDC建树升级对存储装备所形成的需求端具有较高确定性,有望发动NAND Flash需求迎来新一轮增添。   南方财富网微信号:南方财富网

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网友评论

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最新评论

  • 币游视讯 2021-03-04 00:01:52 回复

    一位男子在车厢内肆意地剥大蒜,蒜皮掉了一地。这时候,只见有一个女孩蹲了下来,默默地把蒜皮全都捡起,随后带出了车外。有没有新人啊?

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